传感器


Gamma-ray Semiconductor Detectors & Scintillators

BII3 是可以被能够在室温下不带任何冷却机构需要操作宽带隙半导体材料。因为它的高有效原子序数(Z的= 83,ZI= 53)和密度(5.78克/厘米3),以及它的宽的带隙(1.67 EV),BII3 具有用于在辐射探测器用作传感器可以在环境温度下即..识别和理解在半导体单晶结构紊乱是改善其活性体积和电子性质关键操作的巨大潜力。因为在辐射传感器的光谱分辨率取决于从晶体的电子反应,它们必须能够在大型,原始产率正在生长。遗憾的是,迄今为止,质量问题继续阻碍半导体晶体的高分辨率便携式探测器的应用。在许多情况下,包括发达的材料的CdZnTe(CZT),在甚至从沉淀物和二次相的最高品质的晶体的化学计量显着相关的缺陷降低了设备的性能作为检测器。最近,低级漏电流(10-2 微安/厘米2)和改进的电阻率(高达2.63×109 ω∙厘米)在半导体BII的单晶3 你已经实现通过将某人作为工程掺杂对碘现场减轻空位形成。

Crystal structure

bii3l

BII的单晶3 通过垂直地经修饰的布里奇曼法生长。超纯BII3 粉末是通过物理气相传输法合成,以减少原料粉末的杂质的水平。为了提高特性检测器,缺陷的表征是正在研究也增加了暗电阻率。超纯BII3 然后晶体用于制造γ射线检测器,其被进行各种测定我来表征它们的电性能和辐射响应。这个项目的预期结果是,可以用作高效率的伽玛射线光谱仪,无需任何机械或低温冷却所需要的新颖的宽带隙半导体材料。另外,该项目可能导致当前伽玛射线光谱仪有了更好的能量分辨率比其它当前状态的最先进的半导体化合物或闪烁体材料。这项工作可以由具有提高手持式,便携式伽玛射线探测器大规模杀伤检测的武器对国家安全的能力显著的影响。此外,ESTA项目也可以在其他领域在哪里改进辐射传感器是必要的,包括天文学和天体物理学,环境监测,评估和核废料显著的影响。