通过体积缺陷控制在三碘化铋传感器增强的γ射线的灵敏度

发表: 2017年4月26日

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一些对环境温度的放射线检测器的应用更具吸引力半导体化合物的是由低电荷收集效率由于点和体积缺陷的存在的影响。在特别BII的情况下,ESTA过气真3, which features very attractive properties (density, atomic number, band gap, etc.) to serve as a gamma ray detector, but has yet to demonstrate its full potential. We show that by applying growth techniques tailored to reduce defects, the spectral performance 的 this promising semiconductor can be realized. Gamma ray spectra from >100 keV source emissions are now obtained from high quality Sb:BiI3 随着缺陷(点和扩展)有限块状晶体的浓度。在这些高品质的晶体获取的光谱特征光峰随着在662千电子伏的2.2%的分辨率。红外显微镜用于比较辐射敏感和非响应性晶体之间的本地微结构。这项工作表明,BII3 可以在制备熔体生长的样品探测器级质量和卓越的随着从各种伽玛射线源的可获取光谱。