通过体积缺陷控制在三碘化铋传感器增强的γ射线的灵敏度

发表: 2017年4月26日

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一些对环境温度的放射线检测器的应用更具吸引力半导体化合物的是由低电荷收集效率由于点和体积缺陷的存在的影响。这一直是尤其如此BII的情况下,3, which features very attractive properties (density, atomic number, band gap, etc.) to serve as a gamma ray detector, but has yet to demonstrate its full potential. We show that by applying growth techniques tailored to reduce defects, the spectral per对于mance 的 this promising semiconductor can be realized. Gamma ray spectra from >100 keV source emissions are now obtained from high quality Sb:BiI3 块状晶体具有缺陷(点和扩展)的浓度限制。在这些高品质的晶体获取的光谱特征与光峰在662千电子伏的2.2%的分辨率。红外显微镜用于比较辐射敏感和非响应性晶体之间的局部微观结构。这项工作表明,BII3 可以以优越的质量熔体生长的检测器级样品中来制备,并且可以从各种伽马射线源获得的光谱。